Transistörler - IGBT - Tekil
IRG8CH42K10F
IGBT 1200V 40A DIE
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- Die
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRG8CH42K10F
IRG8CH42K10F Hakkında
IRG8CH42K10F, Infineon Technologies tarafından üretilen 1200V 1200 Volt / 40A 40 Amper kapasitesine sahip tekil IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) DIE komponenttir. Gate charge değeri 230 nC olan bu transistör, yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Maksimum Vce(on) değeri 15V gate geriliminde 40A akım için 2V'dur. Turn-on ve turn-off gecikmesi sırasıyla 40ns ve 240ns olup, hızlı anahtarlama işlemlerine uygun tasarlanmıştır. -40°C ile 175°C (junction) sıcaklık aralığında çalışabilir. Surface mount DIE paketinde sunulan bu komponent, güç dönüştürücüleri, inverterler ve diğer yüksek voltaj uygulamalarında yer alır. Ürün şu anda EOL (End of Life) statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Gate Charge | 230 nC |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | Die |
| Part Status | Obsolete |
| Supplier Device Package | Die |
| Td (on/off) @ 25°C | 40ns/240ns |
| Test Condition | 600V, 40A, 5Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 40A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok