Transistörler - IGBT - Tekil
IRG8CH37K10F
IGBT 1200V 100A DIE
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- —
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRG8CH37K10F
IRG8CH37K10F Hakkında
IRG8CH37K10F, Infineon Technologies tarafından üretilen 1200V 100A kapasiteli IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) die bileşenidir. Standard input tipi ile tasarlanan bu transistör, yüksek voltaj uygulamalarında anahtarlama elemanı olarak kullanılır. 210 nC gate charge ve 35ns/190ns (on/off) geçiş süreleri ile hızlı anahtarlama performansı sunar. Vce(on) değeri 2V (15V, 35A koşullarında) olup, 1200V collector-emitter breakdown voltajına sahiptir. Endüstriyel sürücüler, invertörler, konvertörler ve yüksek güçlü anahtarlama uygulamalarında kullanılmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Gate Charge | 210 nC |
| Input Type | Standard |
| Part Status | Market |
| Td (on/off) @ 25°C | 35ns/190ns |
| Test Condition | 600V, 35A, 5Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 35A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok