Transistörler - IGBT - Tekil
IRG8CH29K10F
IGBT 1200V ULTRA FAST DIE
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- Die
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRG8CH29K10F
IRG8CH29K10F Hakkında
IRG8CH29K10F, Infineon Technologies tarafından üretilen 1200V ultra hızlı IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) die komponentidir. Bu tekil transistör, yüksek voltaj uygulamalarında anahtarlama (switching) işlevlerini gerçekleştirmek üzere tasarlanmıştır. 160 nC gate charge ve 40ns/245ns açılış/kapanış süresiyle karakterize edilir. Maksimum Vce(on) değeri 15V gate voltajında 25A kollektör akımında 2V olarak belirtilmiştir. -40°C ile 175°C arasında çalışır. Surface mount die paketi olarak sunulan bu bileşen, endüstriyel güç dönüştürme devreleri, motor kontrol uygulamaları ve güç kaynağı tasarımlarında kullanılır. Şu anda üretim dışıdır (obsolete) ancak yedek parça uygulamalarında temin edilebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Gate Charge | 160 nC |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | Die |
| Part Status | Obsolete |
| Supplier Device Package | Die |
| Td (on/off) @ 25°C | 40ns/245ns |
| Test Condition | 600V, 25A, 10Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 25A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok