Transistörler - IGBT - Tekil
IRG8CH20K10F
IGBT 1200V ULTRA FAST DIE
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- Die
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRG8CH20K10F
IRG8CH20K10F Hakkında
IRG8CH20K10F, Infineon Technologies tarafından üretilen 1200V IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) die komponentdir. Ultrafast switching karakteristiği ile 20ns turn-on ve 170ns turn-off zamanlarına sahiptir. 90 nC gate charge değeri ile düşük sürüş gücü gerektirir. 15A nominal akımda 2V Vce(on) değeri ile verimli işletme sağlar. -40°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. Yüksek voltaj uygulamalarında, güç dönüştürücülerinde, inverter devrelerinde ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Surface mount die paketi olarak sunulan bu komponent artık obsolete statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Gate Charge | 90 nC |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | Die |
| Part Status | Obsolete |
| Supplier Device Package | Die |
| Td (on/off) @ 25°C | 20ns/170ns |
| Test Condition | 600V, 15A, 10Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 15A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok