Transistörler - IGBT - Tekil
IRG8CH15K10F
IGBT 1200V ULTRA FAST DIE
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- Die
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRG8CH15K10F
IRG8CH15K10F Hakkında
IRG8CH15K10F, Infineon Technologies tarafından üretilen 1200V IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) tekil transistördür. Ultra fast switching karakteristiği ile tasarlanmış bu bileşen, yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmaktadır. Die paket formunda sunulan komponent, 15ns açılış ve 170ns kapanış süresi ile hızlı anahtarlama performansı sağlar. 65 nC gate charge değeri ile düşük sürücü gereksinimi vardır. İş sıcaklığı aralığı -40°C ile 175°C arasında değişmektedir. Vce(on) maksimum değeri 15V gate geriliminde 10A akımda 2V'tur. Enerji dönüştürme, endüstriyel sürücü ve güç elektronikleri uygulamalarında kullanılır. Ürün üretim sonlandırılmış (obsolete) durumundadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Gate Charge | 65 nC |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | Die |
| Part Status | Obsolete |
| Supplier Device Package | Die |
| Td (on/off) @ 25°C | 15ns/170ns |
| Test Condition | 600V, 10A, 10Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 10A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok