Transistörler - IGBT - Tekil
IRG8CH10K10F
IGBT 1200V 5A DIE
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- Die
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRG8CH10K10F
IRG8CH10K10F Hakkında
IRG8CH10K10F, Infineon Technologies tarafından üretilen 1200V 5A kapasiteli IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) die bileşenidir. Surface mount die paketi olarak sunulan bu komponentin maksimum gate charge değeri 30 nC, çalışma sıcaklık aralığı -40°C ile 175°C arasında değişmektedir. Vce(on) maksimum değeri 15V gate voltajında 5A collector akımı koşulunda 2V'tur. Turn-on ve turn-off gecikme süreleri sırasıyla 20ns ve 160ns'dir. 1200V collector-emitter breakdown voltajı ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. Switching güç kaynakları, motor kontrolü ve endüstriyel konvertörlerde tercih edilen bu bileşen artık üretilmemektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Gate Charge | 30 nC |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | Die |
| Part Status | Obsolete |
| Supplier Device Package | Die |
| Td (on/off) @ 25°C | 20ns/160ns |
| Test Condition | 600V, 5A, 47Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 5A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok