Transistörler - IGBT - Tekil
IRG8CH106K10F
IGBT 1200V 110A DIE
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- Die
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRG8CH106K
IRG8CH106K10F Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IRG8CH106K10F, 1200V kollektör-emitör breakdown voltajı ile tasarlanmış yüksek voltaj IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) diyotüdür. 110A nominal akım kapasitesi ve 2V maksimum Vce(on) değeri ile güç dönüştürme uygulamalarında düşük iletim kayıpları sağlar. 700 nC gate charge ve 80ns/380ns hızlı anahtarlama karakteristiği ile motor sürücüleri, endüstriyel invertörler, güç kaynakları ve kaynak makinaları gibi uygulamalarda kullanılır. Die form faktöründe sunulan bileşen, -40°C ile 175°C arasında güvenli çalışma sağlar. Ürün artık üretilmemektedir (Obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Gate Charge | 700 nC |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | Die |
| Part Status | Obsolete |
| Supplier Device Package | Die |
| Td (on/off) @ 25°C | 80ns/380ns |
| Test Condition | 600V, 110A, 1Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 110A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok