Transistörler - IGBT - Tekil
IRG8B08N120KDPBF
DIODE 1200V 8A TO-220
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRG8B08N120KD
IRG8B08N120KDPBF Hakkında
IRG8B08N120KDPBF, Infineon Technologies tarafından üretilen 1200V IGBT transistörüdür. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 15A collector akımı ve 89W güç dağıtabilir. 45nC gate charge ve 50ns reverse recovery time ile hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirebilir. -40°C ile 150°C arası çalışma sıcaklığında kullanılabilir. Switching energy değerleri (300µJ on/off) düşük kayıpla çalışmasını sağlar. Güç elektroniği uygulamalarında, inverter devrelerde, motor sürücülerinde ve anahtarlama kaynakları tasarımında kullanılır. Yüksek voltaj toleransı ve hızlı anahtarlama karakteristiği ile endüstriyel ve tüketici elektroniklerinde yer bulur. Bileşen şu anda üretilmemektedir (Obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 15 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 15 A |
| Gate Charge | 45 nC |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 89 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 50 ns |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Switching Energy | 300µJ (on), 300µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 20ns/160ns |
| Test Condition | 600V, 5A, 47Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 5A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok