Transistörler - IGBT - Tekil

IRG7PSH54K10DPBF

IGBT, 120A I(C), 1200V V(BR)CES,

Paket/Kılıf
TO-247-3
Seri / Aile Numarası
IRG7PSH54K10

IRG7PSH54K10DPBF Hakkında

IRG7PSH54K10DPBF, Rochester Electronics tarafından üretilen 1200V/120A IGBT transistörüdür. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, yüksek güç uygulamalarında anahtarlama elemanı olarak kullanılır. Maksimum 520W güç yönetimi kapasitesine sahip olan transistör, 435nC gate charge değeri ile hızlı anahtarlama performansı sağlar. -40°C ile +150°C sıcaklık aralığında çalışabilen bu IGBT, endüstriyel sürücü devreleri, güç dönüştürücüler, UPS sistemleri ve motor kontrol uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır. 170ns reverse recovery time ve 110ns/490ns on/off delay değerleri ile güvenilir komütasyon özelliği sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 120 A
Current - Collector Pulsed (Icm) 200 A
Gate Charge 435 nC
Input Type Standard
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-247-3
Part Status Active
Power - Max 520 W
Reverse Recovery Time (trr) 170 ns
Supplier Device Package SUPER-247™ (TO-274AA)
Switching Energy 4.8mJ (on), 2.8mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C 110ns/490ns
Test Condition 600V, 50A, 5Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 50A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok