Transistörler - IGBT - Tekil

IRG7PK35UD1-EPBF

IGBT 1400V 40A 167W TO247AD

Paket/Kılıf
TO-247-3
Seri / Aile Numarası
IRG7PK35UD

IRG7PK35UD1-EPBF Hakkında

Infineon Technologies tarafından üretilen IRG7PK35UD1-EPBF, 1400V collector-emitter gerilimi ile tasarlanmış yüksek voltaj IGBT transistörüdür. TO-247-3 paketinde sunulan bu komponent, maksimum 40A DC ve 200A pulse collector akımı ile çalışabilir. 167W maksimum disipasyon gücüne sahip olan transistör, güç elektronikleri uygulamalarında anahtar görevi üstlenir. Vce(on) değeri 15V gate geriliminde 20A akımda 2.35V olup, 98nC gate yükü ve 150ns turn-off gecikmesi ile kontrollü anahtarlama sağlar. -40°C ile +150°C arasında çalışabilen bu IGBT, indüktif yükler, motor kontrolü, welding cihazları ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılmaktadır. Through-hole montaj tipine uygun paketlemesi, güç uygulamalarında güvenli ısıl ve mekanik bağlantı sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 40 A
Current - Collector Pulsed (Icm) 200 A
Gate Charge 98 nC
Input Type Standard
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-247-3
Part Status Obsolete
Power - Max 167 W
Supplier Device Package TO-247AD
Switching Energy 650µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C -/150ns
Test Condition 600V, 20A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.35V @ 15V, 20A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1400 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok