Transistörler - IGBT - Tekil
IRG7PH50K10D-EPBF
IGBT, 90A I(C), 1200V V(BR)CES,
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRG7PH50K10D
IRG7PH50K10D-EPBF Hakkında
IRG7PH50K10D-EPBF, Rochester Electronics tarafından üretilen 1200V rated IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. 90A maksimum collector akımı, 160A pulsed akım kabiliyeti ve 400W maksimum güç dağıtımı ile endüstriyel uygulamalarda kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-247-3 through-hole paketinde sunulan bu bileşen, switching uygulamaları, güç dönüştürücüleri, motor sürücüleri ve UPS sistemlerinde tercih edilmektedir. 130ns reverse recovery time ve düşük switching energy değerleriyle verimli çalışma sağlar. -40°C ile 150°C arası işletme sıcaklık aralığında çalışır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 90 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 160 A |
| Gate Charge | 300 nC |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 400 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 130 ns |
| Supplier Device Package | TO-247AD |
| Switching Energy | 2.3mJ (on), 1.6mJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 90ns/340ns |
| Test Condition | 600V, 35A, 5Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.4V @ 15V, 35A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok