Transistörler - IGBT - Tekil

IRG7PH44K10D-EPBF

IGBT 1200V 70A 320W TO247AD

Paket/Kılıf
TO-247-3
Seri / Aile Numarası
IRG7PH44K10D

IRG7PH44K10D-EPBF Hakkında

IRG7PH44K10D-EPBF, Infineon Technologies tarafından üretilen 1200V IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörlüdür. 70A sürekli kolektör akımı ve 100A darbe akımı kapasitesine sahiptir. TO-247-3 paket tipi ile Through Hole montaj için tasarlanmıştır. 320W maksimum güç kapasitesi ile orta ve yüksek güç uygulamalarında kullanılır. Vce(on) değeri 2.4V (@15V, 25A) ile düşük iletim kaybına sahiptir. 200nC gate charge ve 75ns/315ns açılış/kapanış zamanı hızlı anahtarlama operasyonlarını sağlar. Endüstriyel kontrol, motor sürücü, UPS ve DC-DC dönüştürücü uygulamalarında tercih edilir. -40°C ile 150°C arasında güvenli çalışma sağlar. Ürün obsolete statüsündedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 70 A
Current - Collector Pulsed (Icm) 100 A
Gate Charge 200 nC
Input Type Standard
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-247-3
Part Status Obsolete
Power - Max 320 W
Reverse Recovery Time (trr) 130 ns
Supplier Device Package TO-247AD
Switching Energy 2.1mJ (on), 1.3mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C 75ns/315ns
Test Condition 600V, 25A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 25A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok