Transistörler - IGBT - Tekil
IRG7PH42UDPBF
IRG7PH42 - INSULATED GATE BIPOLA
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRG7PH42
IRG7PH42UDPBF Hakkında
IRG7PH42UDPBF, Rochester Electronics tarafından üretilen 1200V Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) bileşenidir. Trench teknolojisi kullanılarak tasarlanan bu transistör, maksimum 85A sürekli ve 90A darbe kolektör akımı kapasitesine sahiptir. 320W güç yeteneği ile orta ve yüksek güçlü anahtarlama uygulamalarında kullanılır. İnverter, motor kontrol devreleri, kaynak makineleri ve UPS sistemlerinde yaygın olarak yer alır. TO-247-3 paket tipi ile montajı kolaydır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve 1200V kolektör-emiter bozulma voltajı ile yüksek voltaj uygulamalarına uygun tasarlanmıştır. Düşük kapı yükü (157nC) ve hızlı anahtarlama özellikleri sayesinde verimliliği artırır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 85 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 90 A |
| Gate Charge | 157 nC |
| IGBT Type | Trench |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 320 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 153 ns |
| Supplier Device Package | TO-247AC |
| Switching Energy | 2.11mJ (on), 1.18mJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 25ns/229ns |
| Test Condition | 600V, 30A, 10Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 30A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok