Transistörler - IGBT - Tekil
IRG7PH37K10D-EPBF
IGBT W/ULTRAFAST SOFT RECOVERY D
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRG7PH37K10D
IRG7PH37K10D-EPBF Hakkında
IRG7PH37K10D-EPBF, Rochester Electronics tarafından üretilen 1200V IGBT transistörüdür. Integrated Gate Bipolar Transistor (IGBT) teknolojisine sahip bu komponent, ultrafast soft recovery diyot içermektedir. Maksimum kolektör akımı 45A (pulse 60A), gate yükü 135nC ve maksimum güç 216W'tır. Reverse recovery süresi 120ns ile hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirmek için tasarlanmıştır. TO-247-3 paketinde sunulan komponent, endüstriyel uygulamalar, güç kaynakları, motor kontrolü ve inverter devreleri gibi yüksek gerilim anahtarlaması gereken uygulamalarda kullanılır. -40°C ~ 150°C çalışma sıcaklık aralığında çalışabilir. Vce(on) değeri 2.4V (15V, 15A koşullarında) ile düşük iletim kaybı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 45 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 60 A |
| Gate Charge | 135 nC |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 216 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 120 ns |
| Supplier Device Package | TO-247AD |
| Switching Energy | 1mJ (on), 600µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 50ns/240ns |
| Test Condition | 600V, 15A, 10Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.4V @ 15V, 15A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok