Transistörler - IGBT - Tekil

IRG7PH35UPBF

IGBT 1200V 55A 210W TO247AC

Paket/Kılıf
TO-247-3
Seri / Aile Numarası
IRG7PH35UP

IRG7PH35UPBF Hakkında

IRG7PH35UPBF, Infineon Technologies tarafından üretilen 1200V kollektör-emitter gerilimi ile çalışabilen bir IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. 55A maksimum kollektör akımı ve 210W maksimum disipasyon gücü ile güç elektronik uygulamalarında kullanılır. Trench IGBT teknolojisi ile tasarlanan bu bileşen, anahtarlama hızı gerektiren devrelerde, güç dönüştürücüler, motor sürücüleri ve inverter uygulamalarında yer alır. TO-247-3 Through Hole paketinde sunulan komponent, -55°C ile +175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. 2.2V Vce(on) değeri düşük iletim kaybı sağlar. Bileşen üretimi durdurulmuş (Obsolete) olup, mevcut tasarımları için alternatif seçeneklerin değerlendirilmesi önerilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 55 A
Current - Collector Pulsed (Icm) 60 A
Gate Charge 85 nC
IGBT Type Trench
Input Type Standard
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-247-3
Part Status Obsolete
Power - Max 210 W
Supplier Device Package TO-247AC
Switching Energy 1.06mJ (on), 620µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C 30ns/160ns
Test Condition 600V, 20A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 20A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok