Transistörler - IGBT - Tekil

IRG7PH35UD1PBF

IGBT W/ULTRA-LOW VF DIODE FOR IN

Paket/Kılıf
TO-247-3
Seri / Aile Numarası
IRG7PH35UD

IRG7PH35UD1PBF Hakkında

IRG7PH35UD1PBF, Rochester Electronics tarafından üretilen 1200V Trench IGBT transistördür. 50A (max) collector akımı ve 150A pulsed collector akımı kapasitesine sahip bu bileşen, entegre ultra-düşük forward voltage diyot ile birlikte gelir. TO-247-3 paketinde sunulan transistör, 179W maksimum güç yönetimi kapabiliyetine ve 130nC gate charge'a sahiptir. Vce(on) 2.2V @ 15V/20A koşullarında ölçülmüş olup, hızlı anahtarlama özellikleri ile 160ns off-delay süresi sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu IGBT, güç dönüştürme uygulamaları, motor kontrol devreleri ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi endüstriyel elektrik uygulamalarında kullanılır. Through-hole montaj tipi ile PCB integre edilmesi kolaydır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 50 A
Current - Collector Pulsed (Icm) 150 A
Gate Charge 130 nC
IGBT Type Trench
Input Type Standard
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-247-3
Part Status Active
Power - Max 179 W
Supplier Device Package TO-247AC
Switching Energy 620µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C -/160ns
Test Condition 600V, 20A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 20A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok