Transistörler - IGBT - Tekil
IRG7PH35UD1MPBF
IGBT 1200V 50A 179W TO247AD
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRG7PH35UD
IRG7PH35UD1MPBF Hakkında
IRG7PH35UD1MPBF, Infineon Technologies tarafından üretilen 1200V IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 50A sürekli kollektör akımı ile tasarlanmıştır. 150A darbe akımı kapasitesi sayesinde geçici yüksek akım durumlarında kullanılabilir. Trench teknolojisine dayalı yapısı sayesinde düşük geçiş kaybı ve hızlı anahtarlama özelliği sunar. 179W maksimum harcanan gücü ile güç dönüştürücü, inverter, motor kontrol ve endüstriyel uygulamalarda kullanıma uygundur. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bileşen, 2.2V (Vce(on)) ile verimli çalışır. Standard giriş tipi ve TO-247 montajı, endüstriyel ve ticari uygulamalara uyarlanmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 50 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 150 A |
| Gate Charge | 130 nC |
| IGBT Type | Trench |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 179 W |
| Supplier Device Package | TO-247AD |
| Switching Energy | 620µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | -/160ns |
| Test Condition | 600V, 20A, 10Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.2V @ 15V, 20A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok