Transistörler - IGBT - Tekil

IRG7PH35UD1-EP

IGBT 1200V 50A 179W TO247

Paket/Kılıf
TO-247-3
Seri / Aile Numarası
IRG7PH35UD1

IRG7PH35UD1-EP Hakkında

Infineon Technologies tarafından üretilen IRG7PH35UD1-EP, 1200V Trench tipi IGBT transistörüdür. 50A sürekli kollektör akımı ve 150A darbe akımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. 179W maksimum güç disipasyonuna sahip bu bileşen, TO-247-3 paketinde sunulmaktadır. Vce(on) değeri 15V, 20A'de 2.2V olup, 130nC gate charge ve 160ns kapalı olma geçiş zamanı ile çalışır. -55°C ile +150°C arasında güvenli bir şekilde işletilmesi mümkündür. Enerji dönüştürme uygulamaları, motor kontrol devreleri ve güç kaynakları gibi yüksek gerilim anahtarlama uygulamalarında kullanılmaktadır. Teknik özellikleri, güvenilir anahtarlama performansı sağlayacak şekilde belirlenmiştir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 50 A
Current - Collector Pulsed (Icm) 150 A
Gate Charge 130 nC
IGBT Type Trench
Input Type Standard
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-247-3
Part Status Obsolete
Power - Max 179 W
Supplier Device Package TO-247AD
Switching Energy 620µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C -/160ns
Test Condition 600V, 20A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 20A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok