Transistörler - IGBT - Tekil

IRG7PH35UD1-EP

IGBT W/ULTRA-LOW VF DIODE FOR IN

Paket/Kılıf
TO-247-3
Seri / Aile Numarası
IRG7PH35UD

IRG7PH35UD1-EP Hakkında

IRG7PH35UD1-EP, Rochester Electronics tarafından üretilen 1200V Trench IGBT transistördür. 50A maksimum kollektor akımı ve 150A pulsed akım kapasitesi ile güç kontrol uygulamalarında kullanılır. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, ultra düşük diyot ileri voltajı özelliğine sahiptir. 620µJ düşük switching enerjisi ve 2.2V Vce(on) değeri ile verimli çalışma sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışan bu IGBT, endüstriyel motor kontrol, kaynak makinaları, UPS sistemleri ve elektrik güç dönüştürme uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır. 179W maksimum güç yönetimi kapasitesi ve 160ns (off) switching süresi ile hızlı komütasyon gerektiren uygulamalara uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 50 A
Current - Collector Pulsed (Icm) 150 A
Gate Charge 130 nC
IGBT Type Trench
Input Type Standard
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-247-3
Part Status Active
Power - Max 179 W
Supplier Device Package TO-247AD
Switching Energy 620µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C -/160ns
Test Condition 600V, 20A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 20A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok