Transistörler - IGBT - Tekil
IRG7PH28UD1PBF
INSULATED GATE BIPOLAR GATE TRAS
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRG7PH28UD
IRG7PH28UD1PBF Hakkında
IRG7PH28UD1PBF, Rochester Electronics tarafından üretilen 1200V Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) olup, Trench teknolojisi ile imal edilmiştir. 30A sürekli kolektör akımı ve 100A darbe akımı kapasitesi ile güç elektoniği uygulamalarında kullanılır. 115W maksimum güç dağılımı ve 543µJ kapanış enerji seviyesi ile yüksek frekanslı anahtarlama devreleri, inverter topologyileri ve motor sürücüleri gibi uygulamalarda tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında güvenilir çalışma sağlar. TO-247-3 paketindeki Through Hole montajı ile elektrik yönetim sistemlerine entegre edilebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 30 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 100 A |
| Gate Charge | 90 nC |
| IGBT Type | Trench |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 115 W |
| Supplier Device Package | TO-247AC |
| Switching Energy | 543µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | -/229ns |
| Test Condition | 600V, 15A, 22Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.3V @ 15V, 15A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok