Transistörler - IGBT - Tekil
IRG7CH81K10EF-R
IGBT 1200V ULTRA FAST DIE
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- Die
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRG7CH81K10EF
IRG7CH81K10EF-R Hakkında
IRG7CH81K10EF-R, Infineon Technologies tarafından üretilen 1200V ultra hızlı IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) die komponenttir. 600V, 150A test koşullarında maksimum 2.3V Vce(on) değeri ile karakterize edilen bu transistör, 745 nC gate charge ve 70ns/330ns turn-on/turn-off süreleri ile yüksek hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -40°C ile 175°C arasında çalışan bu komponent, güç elektronikleri, inverter devreler, motor kontrol ve endüstriyel anahtarlamalar gibi uygulamalarda yer almıştır. Die paketinde sunulan bu bileşen, yüksek güç yoğunluğu gerektiren modüler tasarımlar için kullanılmaktadır. Not: Ürün Obsolete statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Gate Charge | 745 nC |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | Die |
| Part Status | Obsolete |
| Supplier Device Package | Die |
| Td (on/off) @ 25°C | 70ns/330ns |
| Test Condition | 600V, 150A, 1Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.3V @ 15V, 150A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok