Transistörler - IGBT - Tekil
IRG7CH75UEF-R
IGBT 1200V ULTRA FAST DIE
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- Die
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRG7CH75UEF
IRG7CH75UEF-R Hakkında
IRG7CH75UEF-R, Infineon Technologies tarafından üretilen 1200V IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) ultra fast die'dır. Die formunda sunulan bu bileşen, yüksek voltaj uygulamalarında hızlı anahtarlama gerektiren devrelerde kullanılır. 100A akım kapasitesi ile, güç dönüştürme, motor kontrolü, enerji yönetimi ve indüktif yük anahtarlaması gibi uygulamalarda yer alır. 120ns açılış ve 890ns kapanış süresi ile ultra fast switching özelliği sağlar. Vce(on) değeri 2V @ 15V, 100A koşullarında ölçülmüştür. -40°C ile +175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. 770nC Gate Charge değeri ile kontrol devreleri için uygun özelliklere sahiptir. Not: Bu ürün obsolete statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Gate Charge | 770 nC |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | Die |
| Part Status | Obsolete |
| Supplier Device Package | Die |
| Td (on/off) @ 25°C | 120ns/890ns |
| Test Condition | 600V, 100A, 5Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 100A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok