Transistörler - IGBT - Tekil
IRG7CH75K10EF-R
IGBT 1200V ULTRA FAST DIE
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- Die
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRG7CH75K10EF
IRG7CH75K10EF-R Hakkında
IRG7CH75K10EF-R, Infineon Technologies tarafından üretilen 1200V IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) ultra hızlı die komponentdir. Bu IGBT, 1200V collector-emitter kırılma gerilimi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 500 nC gate charge ve 120ns/445ns (on/off) geçiş süreleri ile hızlı anahtarlama özelliği sunar. 1.53V maksimum Vce(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. -40°C ile 175°C çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans gösterir. Yüksek güçlü invertör, motor kontrol, kaynak makineleri ve enerji dönüştürme uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. Die format olarak sağlanan bu komponent, özel paketleme ve monte işlemlerine uygun endüstriyel uygulamalar için tasarlanmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Gate Charge | 500 nC |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | Die |
| Part Status | Obsolete |
| Supplier Device Package | Die |
| Td (on/off) @ 25°C | 120ns/445ns |
| Test Condition | 600V, 100A, 5Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.53V @ 15V, 20A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok