Transistörler - IGBT - Tekil
IRG7CH73UEF-R
IGBT 1200V ULTRA FAST DIE
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- Die
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRG7CH73UEF
IRG7CH73UEF-R Hakkında
IRG7CH73UEF-R, Infineon Technologies tarafından üretilen 1200V IGBT Ultra Fast Die transistördür. Die formda sunulan bu bileşen, yüksek voltajlı anahtarlama uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 540 nC gate charge ile hızlı anahtarlama özellikleri sağlar. Maksimum Vce(on) değeri 15V gate voltajında 75A akımda 2V'tur. Ultrasonik kaynak, endüstriyel konvertörler, servo sürücüler ve yüksek güç kaynağı uygulamalarında yaygın olarak kullanılmıştır. -40°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Gate Charge | 540 nC |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | Die |
| Part Status | Obsolete |
| Supplier Device Package | Die |
| Td (on/off) @ 25°C | 90ns/580ns |
| Test Condition | 600V, 75A, 5Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 75A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok