Transistörler - IGBT - Tekil
IRG7CH73K10EF-R
IGBT 1200V ULTRA FAST DIE
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- Die
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRG7CH73K10EF
IRG7CH73K10EF-R Hakkında
IRG7CH73K10EF-R, Infineon Technologies tarafından üretilen 1200V IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) ultra hızlı diyottur. Die formunda sunulan bu komponent, yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 420 nC gate charge ve 105ns/45ns açılma/kapanma zamanı ile hızlı anahtarlama performansı sağlar. Maksimum Vce(on) değeri 1.6V olup, 1200V collector-emitter diyelectric dayanımına sahiptir. -40°C ile 175°C sıcaklık aralığında çalışabilir. Güç dönüştürücüler, endüstriyel motor kontrol devrelerinde ve yüksek frekanslı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. Üretim durdurulmuş (obsolete) bir komponenttir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Gate Charge | 420 nC |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | Die |
| Part Status | Obsolete |
| Supplier Device Package | Die |
| Td (on/off) @ 25°C | 105ns/45ns |
| Test Condition | 600V, 75A, 5Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.6V @ 15V, 20A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok