Transistörler - IGBT - Tekil
IRG7CH73K10EF
IGBT 1200V ULTRA FAST DIE
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- Die
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRG7CH73K10
IRG7CH73K10EF Hakkında
IRG7CH73K10EF, Infineon Technologies tarafından üretilen 1200V IGBT transistörüdür. Ultra hızlı switching karakteristikleri ile tasarlanan bu bileşen, özellikle güç dönüştürücüleri, motor sürücüleri ve welding uygulamalarında kullanılır. 360 nC gate charge değeri ile düşük driveleme gücü gerektiren uygulamalara uygundur. Die paketinde sunulan bu transistör, 63ns turn-on ve 267ns turn-off zamanlarına sahiptir. Maksimum Vce(on) değeri 15V gate gerilimi ve 20A kolektör akımında 1.6V'dur. -40°C ile 175°C sıcaklık aralığında çalışabilir. Not: Bu ürün güncel olmayan (Obsolete) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Gate Charge | 360 nC |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | Die |
| Part Status | Obsolete |
| Supplier Device Package | Die |
| Td (on/off) @ 25°C | 63ns/267ns |
| Test Condition | 600V, 75A, 4.7Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.6V @ 15V, 20A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok