Transistörler - IGBT - Tekil
IRG7CH42UEF
IGBT 1200V ULTRA FAST DIE
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- Die
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRG7CH42UEF
IRG7CH42UEF Hakkında
IRG7CH42UEF, Infineon Technologies tarafından üretilen 1200V IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) üniter transistördür. Ultra hızlı switching karakteristiğine sahip bu bileşen, yüksek gerilim uygulamalarında anahtarlama elemanı olarak kullanılır. 600V, 30A test koşullarında 1.4V Vce(on) ve 25ns/229ns açılma/kapanma hızlarına sahiptir. Gate charge değeri 157 nC olup, -40°C ile +175°C sıcaklık aralığında çalışabilir. Die formunda sunulan bu transistör, endüstriyel güç dönüştürücüler, kaynak makinaları ve UPS sistemleri gibi uygulamalarda kullanılmıştır. Parça üretimi sonlandırılmış durumda olup, arşiv/yedek parça ihtiyaçları için tercih edilebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Gate Charge | 157 nC |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | Die |
| Part Status | Obsolete |
| Supplier Device Package | Die |
| Td (on/off) @ 25°C | 25ns/229ns |
| Test Condition | 600V, 30A, 10Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.4V @ 15V, 5A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok