Transistörler - IGBT - Tekil
IRG7CH35UEF
IGBT 1200V ULTRA FAST DIE
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- Die
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRG7CH35UEF
IRG7CH35UEF Hakkında
IRG7CH35UEF, Infineon Technologies tarafından üretilen 1200V IGBT transistördür. Die formunda sunulan bu bileşen, ultra hızlı anahtarlama karakteristiğine sahiptir. 85 nC gate charge ve 30ns/160ns on/off geçiş süreleri ile hızlı komütasyon gerektiren uygulamalarda kullanılır. Maksimum Vce(on) değeri 15V gate voltajında 5A akımda 1.6V'tur. -40°C ile 175°C arasında çalışabilir. Güç dönüştürücüleri, motor kontrol devreleri, inverterler ve yüksek frekans anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. Surface mount uygulamalar için die formatta sağlanır. Ürün üretimi durdurulmuş olup (Obsolete), sınırlı stok mevcuttur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Gate Charge | 85 nC |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | Die |
| Part Status | Obsolete |
| Supplier Device Package | Die |
| Td (on/off) @ 25°C | 30ns/160ns |
| Test Condition | 600V, 20A, 10Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.6V @ 15V, 5A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok