Transistörler - IGBT - Tekil
IRG7CH28UEF
IGBT 1200V ULTRA FAST DIE
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- Die
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRG7CH28UEF
IRG7CH28UEF Hakkında
IRG7CH28UEF, Infineon Technologies tarafından üretilen 1200V IGBT ultra hızlı dies'dir. Die formunda sunulan bu bileşen, 600V/15A test koşullarında 1.55V Vce(on) değeri ile çalışır. 35ns açılış ve 225ns kapanış süresi ile yüksek anahtarlama hızına sahiptir. Gate charge 60nC olup, -40°C ile +175°C işletme sıcaklık aralığında kullanılabilir. Güç dönüşüm uygulamaları, motor kontrol sistemleri, şarj cihazları ve endüstriyel anahtarlama devrelerinde yaygın olarak yer alır. Bileşen obsolete statüsünde olup, yeni tasarımlarda yerini daha güncel alternatif IGBT'lere bırakmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Gate Charge | 60 nC |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | Die |
| Part Status | Obsolete |
| Supplier Device Package | Die |
| Td (on/off) @ 25°C | 35ns/225ns |
| Test Condition | 600V, 15A, 22Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.55V @ 15V, 2.5A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok