Transistörler - IGBT - Tekil
IRG4RC10UTRPBF
IGBT 600V 8.5A 38W DPAK
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRG4RC10UT
IRG4RC10UTRPBF Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IRG4RC10UTRPBF, 600V kollektör-emitter gerilimi ile çalışan yalıtılmış kap IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. Maksimum 8.5A sürekli kollektör akımı ve 34A darbe akımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. 38W maksimum güç dissipasyonuna sahip bu bileşen, TO-252-3 (DPak) kasa türünde sunulmaktadır. Gate şarj 15nC ve düşük on/off gecikmesi (19ns/116ns) özellikleri ile hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklıklarında stabil performans sunar. Endüstriyel sürücü devreleri, AC/DC konverterler ve güç elektronik uygulamalarında yaygın olarak tercih edilmektedir. Bileşen Infineon tarafından üretim dışı bırakılmış olup, mevcut envanter ve arşiv desteği kapsamında değerlendirilmelidir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 8.5 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 34 A |
| Gate Charge | 15 nC |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 38 W |
| Supplier Device Package | D-Pak |
| Switching Energy | 80µJ (on), 160µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 19ns/116ns |
| Test Condition | 480V, 5A, 100Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.6V @ 15V, 5A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok