Transistörler - IGBT - Tekil
IRG4RC10STR
IGBT 600V 14A 38W DPAK
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRG4RC10STR
IRG4RC10STR Hakkında
IRG4RC10STR, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. Surface Mount teknolojisi ile TO-252-3 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 14A sürekli kollektör akımı ve 18A pulslu akım kapasitesine sahiptir. 15nC gate charge ve 25ns/630ns açılış/kapanış zamanı ile hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılmaktadır. Maksimum 38W güç tüketimi ile PWM kontrolü, motor sürücüleri, DC-DC dönüştürücüler ve güç yönetimi sistemlerinde yer almaktadır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu transistör, 480V/8A test koşullarında 1.8V Vce(on) değerine sahiptir. Ürün statüsü obsolete olup, yedek parça veya eski tasarımlarda kullanım için mevcuttur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 14 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 18 A |
| Gate Charge | 15 nC |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 38 W |
| Supplier Device Package | D-Pak |
| Switching Energy | 140µJ (on), 2.58mJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 25ns/630ns |
| Test Condition | 480V, 8A, 100Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.8V @ 15V, 8A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok