Transistörler - IGBT - Tekil
IRG4RC10SDTRPBFBTMA1
IGBT 600V 14A 38W DPAK
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRG4RC10SD
IRG4RC10SDTRPBFBTMA1 Hakkında
IRG4RC10SDTRPBFBTMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V kollektör-emiter diyot gerilimi ile çalışan bir IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. 14A maksimum kollektör akımı ve 38W güç yayılımı kapasitesi ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-252 DPak yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, özellikle anahtarlama hızı ve düşük ateşleme enerjisi gerektiren DC-DC konvertörleri, PWM kontrolörleri ve motor sürücü devrelerinde uygulanır. 28ns reverse recovery time ve 76ns açılış/815ns kapanış gecikmesi süresi ile hızlı anahtarlama performansı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir işletme imkanı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 14 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 18 A |
| Gate Charge | 15 nC |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 38 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 28 ns |
| Supplier Device Package | D-PAK (TO-252AA) |
| Switching Energy | 310µJ (on), 3.28mJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 76ns/815ns |
| Test Condition | 480V, 8A, 100Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.8V @ 15V, 8A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok