Transistörler - IGBT - Tekil
IRG4RC10SDTRLP
IGBT 600V 14A 38W DPAK
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRG4RC10SD
IRG4RC10SDTRLP Hakkında
IRG4RC10SDTRLP, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. 14A sürekli collector akımı ve 18A pulsed akım kapasitesine sahip bu komponent, 38W maksimum güç dağıtımı için tasarlanmıştır. TO-252 DPak (SC-63) yüzeye monte paketinde sunulan transistör, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. 15nC gate charge ve 76ns/815ns on/off gecikmesi ile hızlı anahtarlama özellikleri sunar. 1.8V Vce(on) değeri ve 600V breakdown voltajı ile güç elektronikleri uygulamalarında, motor kontrolü, enerji dönüştürme ve pwm kontrol devreleri gibi alanlarda kullanılır. Ürün obsolete durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 14 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 18 A |
| Gate Charge | 15 nC |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 38 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 28 ns |
| Supplier Device Package | D-Pak |
| Switching Energy | 310µJ (on), 3.28mJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 76ns/815ns |
| Test Condition | 480V, 8A, 100Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.8V @ 15V, 8A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok