Transistörler - IGBT - Tekil

IRG4RC10KDTRPBF

IGBT 600V 9A 38W DPAK

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
IRG4RC10KD

IRG4RC10KDTRPBF Hakkında

Infineon Technologies tarafından üretilen IRG4RC10KDTRPBF, 600V çalışma gerilimi ve maksimum 9A (pulse 18A) kolektör akımı ile tasarlanmış bir IGBT transistördür. TO-252 (DPak) surface mount pakette sunulan bu komponent, 38W maksimum güç yayılımı kapasitesine sahiptir. 19nC gate charge ve hızlı switching karakteristiği (on: 49ns, off: 97ns) ile anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Düşük Vce(on) değeri (2.62V @ 15V, 5A) ve 28ns reverse recovery time'ı, güç dönüştürme devrelerinde, motor sürücülerinde ve frekans dönüştürücülerde tercih edilmesini sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışır. Komponent obsolete durumdadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 9 A
Current - Collector Pulsed (Icm) 18 A
Gate Charge 19 nC
Input Type Standard
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Obsolete
Power - Max 38 W
Reverse Recovery Time (trr) 28 ns
Supplier Device Package D-Pak
Switching Energy 250µJ (on), 140µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C 49ns/97ns
Test Condition 480V, 5A, 100Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.62V @ 15V, 5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok