Transistörler - IGBT - Tekil

IRG4RC10K

IGBT 600V 9A 38W DPAK

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
IRG4RC10K

IRG4RC10K Hakkında

IRG4RC10K, Infineon Technologies tarafından üretilen bir IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) bileşenidir. 600V kolektör-emitter breakdown voltajı ile tasarlanan bu transistör, maksimum 9A sürekli akım ve 18A darbe akımı kapasitesiyle çalışabilir. 38W maksimum güç seviyesinde işletilmesi uygun olan komponent, güç elektronik uygulamalarında anahtarlama elemanı olarak kullanılır. Surface mount TO-252-3 (DPak) paketinde sunulan IRG4RC10K, -55°C ile 150°C arasında çalışır. 11ns açılış ve 51ns kapanış gecikmesi ile hızlı anahtarlama özelliği gösterir. Motor kontrol, UPS sistemleri, endüstriyel sürücüler ve DC-AC konverter uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır. Bileşen güncel olarak tükenmiş (obsolete) durumdadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 9 A
Current - Collector Pulsed (Icm) 18 A
Gate Charge 19 nC
Input Type Standard
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Obsolete
Power - Max 38 W
Supplier Device Package D-Pak
Switching Energy 160µJ (on), 100µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C 11ns/51ns
Test Condition 480V, 5A, 100Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.62V @ 15V, 5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok