Transistörler - IGBT - Tekil

IRG4PSH71UDPBF

IRG4PSH71 - DISCRETE IGBT WITH A

Paket/Kılıf
TO-274AA
Seri / Aile Numarası
IRG4PSH71

IRG4PSH71UDPBF Hakkında

IRG4PSH71UDPBF, Rochester Electronics tarafından üretilen yüksek voltaj IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. 1200V kolektör-emiter breakdown voltajı ve 99A maksimum kolektör akımı ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. TO-274AA (SUPER-247) paketinde sunulan bu komponent, 350W maksimum güç disipasyonuna sahiptir. 46ns açılış ve 250ns kapanış gecikme süresi ile hızlı anahtarlama özelliğine sahiptir. -55°C ile 150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklık aralığında kullanılabilir. Güç kaynakları, UPS, endüstriyel sürücüler ve AC/DC dönüştürücü uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 99 A
Part Status Active
Current - Collector Pulsed (Icm) 200 A
Gate Charge 570 nC
Input Type Standard
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-274AA
Power - Max 350 W
Reverse Recovery Time (trr) 110 ns
Supplier Device Package SUPER-247 (TO-274AA)
Switching Energy 8.8mJ (on), 9.4mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C 46ns/250ns
Test Condition 960V, 70A, 5Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 70A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok