Transistörler - IGBT - Tekil

IRG4PH50UDPBF

IGBT 1200V 45A 200W TO247AC

Paket/Kılıf
TO-247-3
Seri / Aile Numarası
IRG4PH50UD

IRG4PH50UDPBF Hakkında

IRG4PH50UDPBF, Infineon Technologies tarafından üretilen 1200V IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. 45A sürekli collector akımı ve 180A darbe akımı kapasitesiyle, 200W maksimum güç disipasyonu sağlar. TO-247-3 paket tipinde sunulan bu bileşen, yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 160nC gate yükü ve 47ns/110ns açılma/kapanma zamanı ile hızlı anahtarlama performansı sunar. Ön ±15V gate sürücü gerilimi ile çalışır ve -55°C ile +150°C arası ortam sıcaklığında çalışabilir. Endüstriyel konverterler, motor kontrol devreleri ve güç elektronik sistemlerinde uygulanır. Not: Bu ürün obsolete (üretimi durdurulmuş) konumdadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 45 A
Current - Collector Pulsed (Icm) 180 A
Gate Charge 160 nC
Input Type Standard
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-247-3
Part Status Obsolete
Power - Max 200 W
Reverse Recovery Time (trr) 90 ns
Supplier Device Package TO-247AC
Switching Energy 2.1mJ (on), 1.5mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C 47ns/110ns
Test Condition 800V, 24A, 5Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 3.7V @ 15V, 24A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok