Transistörler - IGBT - Tekil
IRG4PH50SPBF
IGBT 1200V 57A 200W TO247AC
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRG4PH50S
IRG4PH50SPBF Hakkında
IRG4PH50SPBF, Infineon Technologies tarafından üretilen 1200V 57A kapasiteli bir IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. TO-247-3 paketinde sunulan bu komponent, anahtarlama uygulamalarında, güç dönüştürücülerinde ve motor sürücü devrelerinde kullanılır. 200W maksimum güç rating'ine sahip olan transistör, 1.7V Vce(on) voltajı ile düşük konuksiyon kaybı sağlar. 1200V break-down voltajı, yüksek voltaj uygulamalarına uygunluğunu gösterir. Pulsed akım kapasitesi 114A'ye ulaşır. Gate charge değeri 167nC olup, anahtarlama hızı 32ns açılış ve 845ns kapanış delay'i ile karakterize edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklık aralığında stabildir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 57 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 114 A |
| Gate Charge | 167 nC |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 200 W |
| Supplier Device Package | TO-247AC |
| Switching Energy | 1.8mJ (on), 19.6mJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 32ns/845ns |
| Test Condition | 960V, 33A, 5Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.7V @ 15V, 33A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok