Transistörler - IGBT - Tekil

IRG4PH50S-EPBF

IGBT 1200V 57A TO247AD

Paket/Kılıf
TO-247-3
Seri / Aile Numarası
IRG4PH50

IRG4PH50S-EPBF Hakkında

IRG4PH50S-EPBF, International Rectifier tarafından üretilen 1200V IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 57A collector akımı (pulse modunda 114A) kapasitesiyle yüksek güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 1.8mJ açılma ve 19.6mJ kapanma enerjisi ile verimli elektrik dönüştürme ve motor kontrolü sistemlerinde yer alır. 200W maksimum güç yeteneğine sahip olup, -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığında güvenilir performans sunar. Endüstriyel uygulamalar, enerji dönüştürücüler ve güç elektroniği devrelerinde tercih edilen bir bileşendir. Ürün artık obsolete statüsündedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 57 A
Current - Collector Pulsed (Icm) 114 A
Gate Charge 167 nC
Input Type Standard
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-247-3
Part Status Obsolete
Power - Max 200 W
Supplier Device Package TO-247AD
Switching Energy 1.8mJ (on), 19.6mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C 32ns/845ns
Test Condition 960V, 33A, 5Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.7V @ 15V, 33A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok