Transistörler - IGBT - Tekil
IRG4PH50KDPBF
IGBT 1200V 45A 200W TO247AC
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRG4PH50K
IRG4PH50KDPBF Hakkında
IRG4PH50KDPBF, Infineon Technologies tarafından üretilen 1200V IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 45A sürekli collector akımı ve 90A darbe akımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. 200W maksimum güç disipasyonuna sahip olup, -55°C ile 150°C arasında çalışmaktadır. Vce(on) değeri 15V gate geriliminde ve 24A collector akımında 3.5V olarak belirtilmiştir. 180nC gate charge ve 90ns reverse recovery time ile hızlı anahtarlama özelliği sunmaktadır. İleri anahtarlama süresi 87ns, geri anahtarlama süresi ise 140ns'dir. Endüstriyel frekans dönüştürücüler, motor sürücüler, güç kaynakları ve anahtarlama uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. Üretim durumu: Kullanımdan kaldırılmış (Obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 45 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 90 A |
| Gate Charge | 180 nC |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 200 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 90 ns |
| Supplier Device Package | TO-247AC |
| Switching Energy | 3.83mJ (on), 1.9mJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 87ns/140ns |
| Test Condition | 800V, 24A, 5Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 3.5V @ 15V, 24A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok