Transistörler - IGBT - Tekil

IRG4PH40UD2-EP

IRG4PH40 - DISCRETE IGBT WITH AN

Paket/Kılıf
TO-247-3
Seri / Aile Numarası
IRG4PH40

IRG4PH40UD2-EP Hakkında

IRG4PH40UD2-EP, Rochester Electronics tarafından üretilen yüksek voltaj IGBT transistörüdür. 1200V collector-emitter breakdown voltajı ve 41A maksimum collector akımı ile güç dönüşüm uygulamalarında kullanılır. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, 160W maksimum güç yönetimi kapasitesine sahiptir. 50ns reverse recovery time ve düşük switching energy özellikleri sayesinde anahtarlama kayıplarını minimize eder. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu transistör, endüstriyel motor kontrolü, UPS sistemleri, kaynak makineleri ve AC-DC dönüştürücülerde yaygın olarak uygulanır. Gate charge 100nC, Vce(on) 3.1V (@15V, 21A) özellikleri ile hızlı ve verimli anahtarlama performansı sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 41 A
Current - Collector Pulsed (Icm) 82 A
Gate Charge 100 nC
Input Type Standard
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-247-3
Part Status Obsolete
Power - Max 160 W
Reverse Recovery Time (trr) 50 ns
Supplier Device Package TO-247AD
Switching Energy 1.95mJ (on), 1.71mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C 22ns/100ns
Test Condition 800V, 21A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 3.1V @ 15V, 21A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok