Transistörler - IGBT - Tekil
IRG4PH30KDPBF
IGBT 1200V 20A 100W TO247AC
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRG4PH30KD
IRG4PH30KDPBF Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IRG4PH30KDPBF, 1200V kollektör-emitter gerilimi ile tasarlanmış bir IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. 20A sürekli ve 40A darbe collector akımı kapasitesi ile, 100W maksimum güç dağıtımına uygundur. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, 4.2V Vce(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. 39ns açılış ve 220ns kapanış süresi ile hızlı anahtarlama performansı gösterir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Endüstriyel inverter uygulamaları, motor kontrol sistemleri, kaynak makineleri ve yüksek gerilim anahtarlama devreleri gibi güç elektroniği uygulamalarında kullanılır. Not: Bu ürün üretimi sonlandırılmıştır (Obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 20 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 40 A |
| Gate Charge | 53 nC |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 100 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 50 ns |
| Supplier Device Package | TO-247AC |
| Switching Energy | 950µJ (on), 1.15mJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 39ns/220ns |
| Test Condition | 800V, 10A, 23Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 4.2V @ 15V, 10A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok