Transistörler - IGBT - Tekil

IRG4PH30K

IGBT 1200V 20A 100W TO247AC

Paket/Kılıf
TO-247-3
Seri / Aile Numarası
IRG4PH30K

IRG4PH30K Hakkında

IRG4PH30K, Infineon Technologies tarafından üretilen 1200V IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. 20A sürekli kolektör akımı, 40A darbe akımı ve 100W maksimum güç yönetimi kapasitesi ile tasarlanmıştır. TO-247-3 paket tipinde sunulan bu transistör, endüstriyel uygulamalarda, güç dönüştürücülerde, DC-DC konverterlerde ve motor sürücülerinde kullanılır. 1200V yüksek voltaj derecelendirmesi ile yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarına uygundur. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. Komponent obsolete statüsündedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 20 A
Current - Collector Pulsed (Icm) 40 A
Gate Charge 53 nC
Input Type Standard
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-247-3
Part Status Obsolete
Power - Max 100 W
Supplier Device Package TO-247AC
Switching Energy 640µJ (on), 920µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C 28ns/200ns
Test Condition 960V, 10A, 23Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 4.2V @ 15V, 10A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok