Transistörler - IGBT - Tekil

IRG4PH20KDPBF

IRG4PH20 - DISCRETE IGBT WITH AN

Paket/Kılıf
TO-247-3
Seri / Aile Numarası
IRG4PH20

IRG4PH20KDPBF Hakkında

IRG4PH20KDPBF, Rochester Electronics tarafından üretilen 1200V IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. Maksimum 11A sürekli kolektör akımı ve 22A pulslu kapasiteye sahip bu bileşen, yüksek gerilim anahtarlama uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 28nC gate charge ve 50ns/100ns açılma/kapanma süresiyle hızlı anahtarlama performansı sağlar. TO-247-3 paket içinde sunulan bu transistör, 4.3V Vce(on) değeriyle ve 60W maksimum güç derecelendirmesiyle endüstriyel sürücü devreler, invertör uygulamaları, güç kaynakları ve motorların PWM kontrolü gibi alanlarda yer bulur. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığına sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 11 A
Current - Collector Pulsed (Icm) 22 A
Gate Charge 28 nC
Input Type Standard
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-247-3
Part Status Obsolete
Power - Max 60 W
Reverse Recovery Time (trr) 51 ns
Supplier Device Package TO-247AC
Switching Energy 620µJ (on), 300µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C 50ns/100ns
Test Condition 800V, 5A, 50Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 4.3V @ 15V, 5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok