Transistörler - IGBT - Tekil
IRG4PH20KD
IGBT 1200V 11A 60W TO247AC
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRG4PH20KD
IRG4PH20KD Hakkında
IRG4PH20KD, Infineon Technologies tarafından üretilen 1200V IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. 11A sabit kolektör akımı ve 22A darbe akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, güç elektroniği uygulamalarında anahtarlama elemanı olarak kullanılır. 60W maksimum güç dağıtımı, 28nC gate charge ve 620µJ açılış/300µJ kapanış switching enerjisi ile karakterizedir. -55°C ile 150°C arasında çalışır. 1200V collector-emitter breakdown voltajı endüstriyel konverter, inverter ve motor kontrol devrelerinde yer alması uygun kılar. Bileşen artık üretilmemektedir (Obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 11 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 22 A |
| Gate Charge | 28 nC |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 60 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 51 ns |
| Supplier Device Package | TO-247AC |
| Switching Energy | 620µJ (on), 300µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 50ns/100ns |
| Test Condition | 800V, 5A, 50Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 4.3V @ 15V, 5A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok