Transistörler - IGBT - Tekil

IRG4PF50WPBF

IGBT, 51A I(C), 900V V(BR)CES, N

Paket/Kılıf
TO-247-3
Seri / Aile Numarası
IRG4PF50W

IRG4PF50WPBF Hakkında

IRG4PF50WPBF, Rochester Electronics tarafından üretilen N-tipi IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. 51A kollektör akımı ve 900V kırılma gerilimine sahip bu bileşen, yüksek güç uygulamalarında anahtarlama elemanı olarak kullanılır. 200W maksimum güç kapasitesi ve -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığı ile sanayi uygulamaları, güç kaynakları, motor kontrol devreleri ve UPS sistemlerinde tercih edilir. TO-247-3 paketinde sunulan bileşen, 29ns açılış ve 110ns kapanış gecikmesi ile hızlı anahtarlama performansı sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 51 A
Current - Collector Pulsed (Icm) 204 A
Gate Charge 160 nC
Input Type Standard
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-247-3
Part Status Active
Power - Max 200 W
Supplier Device Package TO-247AC
Switching Energy 190µJ (on), 1.06mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C 29ns/110ns
Test Condition 720V, 28A, 5Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 28A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 900 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok