Transistörler - IGBT - Tekil
IRG4PF50WDPBF
IGBT 900V 51A 200W TO247AC
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRG4PF50W
IRG4PF50WDPBF Hakkında
IRG4PF50WDPBF, Infineon Technologies tarafından üretilen 900V IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 51A DC kolektör akımı ve 204A pulslu akım kapasitesine sahiptir. 200W maksimum güç dissipasyonu ile endüstriyel uygulamalarda kullanılmak üzere tasarlanmıştır. Vce(on) değeri 2.7V olup, 160nC gate charge ile hızlı anahtarlama özelliği sunar. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sağlar. Güç kaynakları, motor kontrolü, kaynak makineleri ve endüstriyel inverter uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. Bileşen artık üretilmemektedir (Obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 51 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 204 A |
| Gate Charge | 160 nC |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 200 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 90 ns |
| Supplier Device Package | TO-247AC |
| Switching Energy | 2.63mJ (on), 1.34mJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 71ns/150ns |
| Test Condition | 720V, 28A, 5Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 28A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 900 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok