Transistörler - IGBT - Tekil
IRG4CC80SB
IGBT CHIP
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- Die
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRG4CC80SB
IRG4CC80SB Hakkında
IRG4CC80SB, Infineon Technologies tarafından üretilen bir IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) çip (die) format komponentdir. Standard giriş tipine sahip olan bu transistör, 600V collector-emitter breakdown voltajında çalışmaya tasarlanmıştır. -55°C ile 150°C arasında geniş çalışma sıcaklık aralığında kullanılabilir. Die format olması nedeniyle, yüksek yoğunluk uygulamalarında ve entegre devre tasarımlarında kullanılmak üzere intended tasarlanmıştır. Güç elektroniği, motor kontrol, enerji dönüşüm ve switching uygulamalarında yaygın olarak tercih edilen bir bileşendir. Obsolete durumda olsa da, heritage uygulamalar ve spesifik tasarımlar için referans teşkil etmektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | Die |
| Part Status | Obsolete |
| Supplier Device Package | Die |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok