Transistörler - IGBT - Tekil

IRG4CC50WB

IGBT CHIP

Paket/Kılıf
Die
Seri / Aile Numarası
IRG4CC50W

IRG4CC50WB Hakkında

IRG4CC50WB, Infineon Technologies tarafından üretilen Surface Mount IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) çip olup, Die paket yapısında sunulmaktadır. 600V Collector-Emitter breakdown voltajı ile, 15V gate voltajında 10A akım taşıyabilen bu bileşen, 2.3V maksimum on-state voltaj değerine sahiptir. Standard input tipinde tasarlanan bu IGBT chip, güç elektronikleri uygulamalarında, inverter devreleri, motor kontrol sistemleri ve anahtarlama devrelerinde kullanılmaktadır. Bileşen şu anda üretim durdurulmuş (Obsolete) durumda olup, arşiv uygulamaları veya yedek parça ihtiyaçlarında referans alınabilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Input Type Standard
Mounting Type Surface Mount
Package / Case Die
Part Status Obsolete
Supplier Device Package Die
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 10A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok