Transistörler - IGBT - Tekil
IRG4BH20K-SPBF
IGBT 1200V 11A 60W D2PAK
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRG4BH20K
IRG4BH20K-SPBF Hakkında
IRG4BH20K-SPBF, Infineon Technologies tarafından üretilen 1200V IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. D2PAK (TO-263-3) yüzey montajlı paket ile sunulan bu komponent, maksimum 11A sürekli akım ve 22A darbe akımı kapasitesine sahiptir. 60W güç disipasyonu ile tasarlanan cihaz, 28nC gate charge ve düşük switching delay zamanları (on: 23ns, off: 93ns) sayesinde yüksek hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. Güç dönüştürme, inverter, motor kontrol ve UPS sistemleri gibi yüksek gerilim anahtarlama uygulamalarında tercih edilen bir bileşendir. NOT: Bu ürün üreticisi tarafından kullanımdan kaldırılmış (Obsolete) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 11 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 22 A |
| Gate Charge | 28 nC |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 60 W |
| Supplier Device Package | D2PAK |
| Switching Energy | 450µJ (on), 440µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 23ns/93ns |
| Test Condition | 960V, 5A, 50Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 4.3V @ 15V, 5A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok